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IXSN35N120AU1中文资料

  • 大小:99.2KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:High Voltage IGBT with Diode
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:PT
  • 配置:单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):4V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):70A
  • 电流 - 集电极截止(最大):750µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):3.9nF @ 25V
  • 功率 - 最大:300W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装:SOT-227B

IXSN35N120AU1供应商

更新时间:2023-01-07 05:21:37
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